化合物晶圆片产品
化合物半导体是由多种元素组成的半导体材料，主要包括Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族以及Ⅳ-Ⅳ族等元素的组合。与硅半导体相比，化合物半导体材料不仅成本较高，而且晶体的大尺寸化也较为困难，因此长期以来，大部分半导体材料仍以硅为主。另一方面，化合物半导体晶圆具有发光、受光、高速运行以及磁电特性等功能，因此被广泛应用于发光二极管（LED）、激光二极管（LD）、太阳能电池、场效应晶体管以及霍尔元件等领域。例如，在 LED 应用中，根据所需特性不同，可使用蓝宝石、碳化硅（SiC）、砷化镓（GaAs）、磷化镓（GaP）、氮化镓（GaN）等作为基板材料，并在基板表面形成薄膜（外延层）以实现器件功能。
WAFER TECHNOLOGY公司
- 本公司为英国WAFER TECHNOLOGY公司日本总代理店，可以按照您希望的模式，提供高品质产品(可少量订做)。
- 可对应小口径到大口径产品，请您联系我们。
III-V族化合物晶圆片
概要
III-V族化合物半导体是使用III族元素与V族元素的半导体，代表性的III族元素有铝（Al）、镓（Ga）、铟（In），代表性的V族元素有氮素（N）、磷（P）、砷（As）和锑（Sb）等。另外，V族元素并使用氮素的GaN（氮化镓）、AlN（氮化铝）、InN（氮化铟）等则被称为氮化物半导体。
特点与优势
III-V族化合物半导体的大多数都是直接迁移型半导体，因此在发光二极管（LED）以及激光二极管（LD）等发光元件中广泛使用。另外，具有与硅材料（Si）不同的能带隙，也被用在光电二极管等受光元件中。再者，因其高速性的特点，手机及无线光缆的高周波回路功率放大器，开关等电子设备中也被广泛应用，属于活跃在我们身边的材料。
产品系列
- GaAs
- InP
- GaSb
- InAs
- InSb
化合物外延晶圆
- 应用
- 本公司提供多种化合物系外延晶圆。
＜电子器件用途＞
HBT、pHEMT、BiFET、BiHEMT 等＜光电器件用途＞
VCSEL、LD、PIN、APD、LED、多结太阳能电池 等