SOI晶圆产品
SOI 基板是指在硅（Si）基板与表面硅层之间插入一层二氧化硅（SiO₂）所形成的结构。通过减少晶体管的寄生电容，可有效提升工作速度并降低功耗。在传统的集成电路中，器件间的隔离通常是通过 PN 结的反向偏置来实现的，但这种结构会在寄生二极管及衬底之间产生寄生电容，导致信号延迟及漏电流流向衬底等问题。为减少这种寄生电容，在 MOSFET 通道下方形成一层绝缘膜，从而降低浮游电容的结构即为 SOI（Silicon On Insulator）。此外，内部包含此类绝缘层的晶圆被称为 SOI 晶圆，而传统的晶圆则为了与之区分，被称为 体硅晶圆（Bulk Silicon 或 Bulk Wafer）。
ICEMOS TECHNOLOGY公司
- 我们作为英国ICEMOS TECHNOLOGY 公司在日本的总代理，竭诚为您提供 SOI晶圆、Si-Si键合晶圆、SOI加工晶圆（如介质隔离晶圆等）等相关服务。
- ICEMOS TECHNOLOGY公司自BCO TECHNOLOGY公司时代起，提供世界级的定制SOI晶圆已超过10年。
- 我们提供R&D小批次试产到量产的服务。
SOI晶圆制造方法
- 2种制造方法
制造方法1
手柄层外侧形成Box层，对键合的器件层抛光以完成制造。
制造方法2
器件层外侧形成Box层，对键合的器件层抛光以完成制造。
特制SOI
晶圆规格可以根据您所需的规格定制。我们能够提供下方规格，欢迎咨询。
- 器件层
- 厚度 : 最薄至1.5um
- Box层(热氧化膜)
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- 可直接加工贴制上限为4um的氧化膜。
- 也可制作4um以上的氧化膜
例: 5um(1um+4um)氧化膜键合。
- 关于4um以上的氧化膜
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5um(1um+4um)氧化膜间的键合可以制作Box层，但是氧化膜间的键合(SiO2+SiO2)强度没有硅和氧化膜(Si+SiO2)间的强度强。
- 手柄层
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若您希望的产品厚度是300um以下，我们可以另外提供减薄服务
例 : 手柄层325um->150um抛光** SOI晶圆按总厚度测定。允许误差可小至+/-2um。
- 手柄层的背面抛光
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可进行背面抛光。按SOI晶圆的总厚度测定。
* 还可按照您的各种要求进行器件层抛光。
- Field氧化膜等制膜加工
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- 可在SOI晶圆的表面进行Field氧化膜的制膜加工。
- 其他氮化膜，金属膜的制膜加工。
- 键合强度
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可制作器件层和Box层键合强度较弱的SOI晶圆。
*在普通的键合强度下，即使在 48% HF 溶液中蚀刻 70 分钟，也不会影响键合界面。已有实绩（基于以往测试数据）。
- 键合强度较弱的SOI晶圆
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可特别制作键合界面的键合强度较弱的SOI晶圆。
- ICEMOS TECHNOLOGY
标准规格 -
大小: 4寸,5寸,6寸,8寸
http://www.icemostech.com/soi-wafers.html
SOI硅片晶圆概要
微腔图形加工硅晶圆
可进行Box层， 手柄层等 Cavity加工。
图形化SOI晶圆
可提供各种图案的加工。我们能加工图案如下。
介电隔离晶圆
SOI硅晶圆沟槽+回填加工
通过在 SOI 晶圆上进行沟槽加工和多晶硅回填加工，即可制造出介电隔离晶圆。
详细规格等请参照下方链接。
http://www.icemostech.com/tsoi-wafers.html
硅-硅键合晶圆
通过将两片硅晶圆（例如高阻硅晶圆与低阻硅晶圆）直接键合，可以制备出替代外延晶圆的晶圆。由于晶圆之间直接键合，在晶圆接合界面处不易发生自动掺杂现象。并且在某些厚度条件下，相较于沉积厚外延层，这种方法还能降低成本。 其制备方法是将两片硅晶圆键合后，将器件层抛光至目标厚度。Si-Si键合晶圆（即Si-Si键合晶圆）与过去用于功率器件，PIN二极管等应用的厚外延层相比，被认为是一种具有成本优势的低价替代方案。
SOI晶圆存货销售
我们提供ICEMOS TECHNOLOGY公司的海外库存产品，欢迎垂询。具体规格请随时咨询。我们将提供最新的库存列表。