化合物晶圆产品系列
AlN
- AlN指的是氮化铝（aluminum nitride），而氮化铝单晶基板被期待用于高效率、高频电子器件以及深紫外发光器件。
如果将氮化铝（AlN）晶体用作基板，由于可以进行准同质外延生长，因此能够将所叠层的氮化物晶体的缺陷密度保持在较低水平。
目前，作为氮化物半导体用的基板，通常使用蓝宝石等材料。然而从晶格失配以及紫外线透过能力的角度来看，可以看出单晶是紫外发光器件最好的基板候选材料。
然而，氮化铝单晶基板由于其熔点高，并且在高温下解离压力较高，因此从熔液中制备单晶是非常困难的。 - 优势
- 我们自2006年度起开始提供用于青光至深紫外激光器及功率电子器件开发的先进材料——氮化铝单晶基板。虽然属于研究开发级产品（research-grade），但我们主要销售直径为22.5mm和25mmφ的AlN单晶基板。（※非标准模板产品）
【主要应用】
UV LED/LD、雪崩光电二极管（Avalanche PD）、其他传感器、功率电子器件、散热器等
【生长方法】
Physical Vapor Transport（PVT）（物理气相输运法）
Sublimation/Seeded-recrystallization of AlN powder
（升华/利用种晶从AlN粉末再结晶）
| 项目 | 说明 |
|---|---|
| 直径 | 22.5～50mm |
| 厚度 | 500±50um |
| 晶向 | (0001)±1.0° |
| 表面处理 | Al face：CMP (RMS <0.8nm)
N face：optical (RMS <3nm) |
| 吸收系数 | <30cm-1 |
| XRD | FWHM (002)：<0.3°
FWHM (102)：<0.5° |
| EPD | <106cm-2 |
| 有效面积 | >80% |
| 边缘排除区域 | 1.0mm |
GaP
- 磷化镓的化学式为GaP（Gallium Phosphide）。
磷化镓为桔黄色半透明状结晶，通过镓与磷的直接反应或者900℃-1000℃时氧化钾与磷的反应而得成。
其比重为4.13，熔点为1465摄氏度，介电常数为9.1，能量带为2.2ev。具有所有III-V族化合物（III族元素与V族元素的化合物）半导体的性质，作为可视发光二极管可以用于各种显示元件及手机照明（黄色、绿色）中。 - 优势
- 我们提供 2 英寸和 3 英寸的氮化镓单晶基板。
标准规格如下所示。
【主要应用】
光器件：可见光LED的各种显示元件（红色、绿色）以及液晶背光用（黄色、绿色）等
【制造方法】
LEC 法（液相封闭柴克拉斯基法）
| 项目 | 说明 |
|---|---|
| 类型 | N-type/S,Si,P-type/Zn *Un-doped also available |
| 直径 | 2英寸 – 3英寸 |
| 晶向 | (100)、(111)、(110)，亦可提供其他特殊晶向及偏角晶向 |
| 表面处理 | 单面镜面抛光、双面镜面抛光、As-cut（未抛光） |
| 厚度 | 250-1000um |
| 载流子浓度 | (1-10)E18cm-3 |
| EPD | <1E5cm-2 |
Al2O3(氧化铝)
- 氧化铝（英文：Aluminium Oxide）化学式为Al2O3，属于铝的两性氧化物。
氧化铝（α-氧化铝）在自然界中以刚玉、红宝石、蓝宝石的形式产出。除了主要用作金属铝的原料外，还利用其硬度作为研磨剂，并利用其高熔点作为耐火材料。
用于半导体的蓝宝石（Sapphire）单晶是通过 CZ 法、Kyropoulos 法、EFG 法等制备的。蓝宝石晶圆作为光学器件，被用作LED基板和激光器基板。
另外，从紫外线领域到红外线领域的广泛周波数范围内能够显示高度透光性，因此也用于光学窗材中。 - 优势
- 蓝宝石基板因其低电容率和晶体特性而成为优质材料。我们提供2英寸、3英寸、4英寸的外延基板，包括标准晶向产品以及客户定制产品（偏角晶向晶圆、双抛、各种厚度）。
【主要应用】
用于蓝光LED（蓝光、白光、绿光、紫光LED），氮化镓晶体生长应用的基板等。
| 项目 | 说明 |
|---|---|
| 直径 | 2英寸 – 4英寸 |
| 晶向 | C(0001)0.2off±0.1°to m-axis |
| OF 方位 | (11-20)±0.3° |
| OF 长度 | 2英寸：16 ±0.5 mm,4英寸：30 ±1.0 mm |
| 厚度 | 2英寸：430 μm,4英寸：650 μm |
| 表面处理 | 单面抛光 |
| Bow | ≦10um (2inch) |
| TTV | ≦10um (2inch) |
SiC
- 碳化硅（Silicon Carbide，化学式 SiC）是一种由碳（C）和硅（Si）组成的化合物，具有强大的共价键结合特性，其带隙为 3.2 eV，约为硅（Si）的三倍。
碳化硅具有高热导率，散热性和耐热性优异，性能远远超过传统的硅（Si）晶圆。
作为一种能够显著降低器件功率损耗，实现高效率和节能化的材料，碳化硅在汽车（混合动力、电动）、家电（空调、太阳能电池等）、电力及信息通信等领域具有广阔的增长前景。 - 优势
- 我们提供适用于多种应用的 2～4 英寸 SiC 晶圆。
※亦可提供SiC外延晶圆（Epi Wafer）。
GaN
- 氮化镓（Gallium Nitride，GaN），是一种镓的氮化物，主要广泛用于发光二极管（蓝光LED、紫光LED、紫外LED、白光 LED）以及用于蓝光光盘（Blu-ray）的蓝紫色激光二极管（LD）基板
以往，大多数氮化镓基板都是在蓝宝石基板上生长氮化镓薄层的类型。如今，为了满足对高功率和高耐久性的LD以及高亮度 LED的需求，较难产生晶体缺陷的自支撑型基板的开发正日益活跃。 - 优势
- 我们提供用于LED、LD及电子器件的高品质GaN基板（尺寸可提供至2英寸）。
※ 亦可提供 GaN 外延晶圆（Epi Wafer）。
Ge
- 锗（英语：Germanium，元素符号：Ge）是一种带隙比硅（Si）更窄的半导体材料（约 0.7 eV）。在早期的晶体管中，锗是主要材料，在具有更高稳定性的硅（Si）出现之前，曾是半导体器件的主流材料。
即使在现在，由于其压降较小，也被用于二极管；而由于能带间隙相对较窄，也可用于光检测器。
同时，锗还用于伽马射线辐射探测器、红外光学器件及太阳能电池等应用中。 - 优势
- 此外，还可用于伽马射线探测器、红外光学应用以及太阳能电池等领域。
氧化物
- 大多数氧化物半导体具有宽带隙，可透过可见光范围内的电磁波。
其中部分材料还表现出较高的载流子浓度和迁移率，因此被广泛应用于利用其特性的各种领域，如透明导电膜、超导材料及传感器等。
此外，作为氧化物单晶基板的代表，还包括用于超导薄膜基板的钛酸锶（SrTiO₃）单晶基板以及氧化镁（MgO）单晶基板等。 - 优势
- 我们提供各类氧化物单晶晶圆。可供应材料包括：MgO（氧化镁）、SrTiO₃（钛酸锶）、ZnO（氧化锌） 等。
Ⅱ-Ⅵ族化合物晶圆
- II-VI族半导体即使用II族与VI族元素的半导体，主要使用的II族元素有镁、锌、镉、汞；VI族元素有氧、硫、碲、硒等。
由这些元素组合形成的化合物中，常见的例子包括氧化锌（ZnO）、碲化镉（CdTe）、硒化锌（ZnSe）以及硫化锌（ZnS）等。
尽管II-VI族半导体具有离子结晶性强固，大多数属于脆弱性物质的特征，但是通过改变组合可以大幅改变能带隙。
具有相当于可见光或红外区域的能带间隙的材料，被用作发光器件和光接收器件的材料。 - 产品一览
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- CdSe（硒化镉单晶）
- CdS（硫化镉单晶）
- ZnSe（硒化锌单晶）
- ZnTe（碲化锌单晶）
- ZnS（硫化锌单晶）