Ⅲ-Ⅴ族化合物晶圆产品系列
GaAs
砷化镓（Gallium Arsenide）是镓的砷化物。化学式为GaAs，多用作半导体元件材料。
与硅相比，虽然存在价格较高、加工困难的缺点，但它具有高速运行的功能，同时功耗约为三分之一，因此易于实现小型化。
近年来，随着加工技术的进步，GaAs器件也可以低价供应，并在对小型化和高频特性有要求的应用（如手机）、以及 LED和激光等应用中得到广泛普及。
| 项目 | 说明 |
|---|---|
| 制造方法 | VGF |
| 类型 | N-type/Si, P-type/Zn, Semi-Insulating/Un-doped |
| 直径 | 2 英寸 – 3 英寸 |
| 晶向 | (100)、(110)、(111) ～ (611)，其他偏角方向也可提供 |
| 表面处理 | 单面镜面抛光，双面镜面抛光，Epi-ready以及其他表面加工 |
| 厚度 | 2英寸：350 μm/500 μm,3英寸：625 μm
其他厚度可根据需求洽谈 |
| 其他 | 载流子浓度、电阻率、迁移率等参数可在允许范围内指定 |
InP
磷化铟（Indium Phosphide）是铟与磷的化合物。
由于InP单晶衬底相比GaAs和GaP具有较大的晶格常数，因此可以在与其晶格匹配（晶格常数相同）的衬底材料上生长外延，如InGaAs，AlInAs，InGaAsP 和 AlGaInAs。
利用这些材料的组合，可以生产光通信用的发/收光器件、超高速晶体管以及共振隧穿二极管等器件。
| 项目 | 说明 |
|---|---|
| 制造方法 | LEC |
| 类型 | N-type/Sn,Fe,S,Un-doped, P-type/Zn |
| 直径 | 2英寸 |
| 晶向 | (100)、(110)、(111) ～ (611)，其他偏角方向也可提供 |
| 表面处理 | 单面镜面抛光，双面镜面抛光，Epi-ready以及其他表面加工 |
| 厚度 | 2英寸：350 μm / 500 μm
其他厚度可根据需求洽谈 |
| 其他 | 载流子浓度、电阻率、迁移率等参数可在允许范围内指定 |
GaSb
锑化镓（Gallium Antimonide）是一种通过特殊的LEC法生长的单晶。它被用于红外探测器、红外发光二极管（LED）、激光器、晶体管、热光电系统等器件。
此外，以锑化镓（GaSb）为代表的Ⅲ–Ⅴ族化合物半导体属于直接跃迁型半导体。与硅（Si）半导体相比，它们的能带间隙较小，具有将近红外波段（波长 0.8μm～2.2μm）的电磁波转换为电能的特点。
以锑化镓为基础的太阳能芯片，虽然技术难度非常大，但是在GaSb衬底上进行的以MBE为主的II-VI族外延片研究也在进行中。
| 项目 | 说明 |
|---|---|
| 制造方法 | LEC |
| 类型 | N-type/Te, P-type/Un-doped, Zn |
| 直径 | 2英寸 – 4英寸 |
| 晶向 | (100)、(110)、(111) ～ (611)，其他偏角方向也可提供 |
| 表面处理 | 单面镜面抛光，双面镜面抛光，Epi-ready以及其他表面加工 |
| 厚度 | 2英寸：500 μm,3英寸：625 μm,4英寸：1000 μm
其他厚度可根据需求洽谈 |
| 其他 | 载流子浓度、电阻率、迁移率等参数可在允许范围内指定 |
InAs
作为Ⅲ–Ⅴ族化合物的砷化铟(Indium Arsenide)，其单晶是通过LEC法制备的。
从单晶锭切割成薄片并经过EPI ready抛光处理的晶圆基板，通过其上生长的外延层，可作为红外探测器，广泛应用于测量、分析等领域。
| 项目 | 说明 |
|---|---|
| 制造方法 | LEC |
| 类型 | N-type/S, Un-doped, P-type/Zn |
| 直径 | 2英寸 – 3英寸 |
| 晶向 | (100)、(110)、(111) ～ (611)，其他偏角方向也可提供 |
| 表面处理 | 单面镜面抛光，双面镜面抛光，Epi-ready以及其他表面加工 |
| 厚度 | 2英寸：500 μm,3英寸：625 μm
其他厚度可根据需求洽谈 |
| 其他 | 载流子浓度、电阻率、迁移率等参数可在允许范围内指定 |
InSb
锑化铟(Indium Antimonide)单晶是一种属于Ⅲ-Ⅴ族化合物、具有闪锌矿结构的材料。
锑化铟是一种带隙为0.17eV（室温）的窄带隙直接跃迁型半导体，主要用于红外热成像仪、热成像相机、自动追踪导弹等红外探测器件，以及霍尔元件、磁阻效应元件等。
| 项目 | 说明 |
|---|---|
| 制造方法 | CZ |
| 类型 | N-type/Te, Un-doped, P-type/Ge |
| 直径 | 2英寸 – 4英寸 |
| 晶向 | (100)、(110)、(111) ～ (611)，其他偏角方向也可提供 |
| 表面处理 | 单面镜面抛光，双面镜面抛光，Epi-ready以及其他表面加工 |
| 厚度 | 2 英寸：625 μm,3 英寸：800 / 900 μm,4 英寸：1000 μm
其他厚度可根据需求洽谈 |
| 其他 | 载流子浓度、电阻率、迁移率等参数可在允许范围内指定 |
E&M Ⅲ-Ⅴ族化合物单晶晶圆的特长
- 我们可根据客户的要求规格，从小批量研发到量产阶段，灵活满足客户的各类需求。
- 此外，我们还提供特殊晶向的产品，如 (111)、(110)、(311) 等。