Ⅲ-Ⅴ族化合物晶圆片产品系列
GaAs
砷化镓（Gallium Arsenide）是镓的砷化合物。分子式为GaAs，多用作半导体元件材料。
相比硅材料，砷化镓虽然有价格高、加工难等缺点，但是具有高速动作性能的同时，消耗电力约为三分之一，具有容易小型化的特征。
近年来，随着加工技术的进步，GaAs器件也可以低价供给，围绕手机等小型却要求高周波特性用途以及，LED、激光用途等为中心广泛普及开来。
| 项目 | 说明 |
|---|---|
| 制造方法 | VGF |
| 类型 | N-type/Si･Te, P-type/Zn, Semi-Insulating/Un-doped |
| 直径 | 2 英寸 – 3 英寸 |
| 晶向 | (100)、(110)、(111) ～ (611)，其他偏角方向也可提供 |
| 表面处理 | 单面镜面抛光、双面镜面抛光、Epi-ready 处理，其他表面处理亦可提供 |
| 厚度 | 2英寸：350 μm/500 μm,3英寸：625 μm
其他厚度可根据需求洽谈 |
| 其他 | 载流子浓度、电阻率、迁移率等参数可在允许范围内指定 |
InP
磷化铟（Indium Phosphide）是铟与磷的化合物。
InP单结晶衬底，相比GaAs和GaP具有大格子定数，因此可以在InP衬底上生长整合格子（相同格子定数）的InGaAs、AlInAs、InGaAsP和AlGAINAs等材料的外延片。
通过组合这些材料，从而使制造光通信用途的受发光器件，超高速转换器，共鸣隧道二极管等成为可能。
| 项目 | 说明 |
|---|---|
| 制造方法 | LEC |
| 类型 | N-type/S･Sn･Un-doped, P-type/Zn, Semi-Insulating/Fe |
| 直径 | 2英寸 |
| 晶向 | (100)、(110)、(111) ～ (611)，其他偏角方向也可提供 |
| 表面处理 | 单面镜面抛光、双面镜面抛光、Epi-ready 处理，其他表面处理亦可提供 |
| 厚度 | 2英寸：350 μm / 500 μm
其他厚度可根据需求洽谈 |
| 其他 | 载流子浓度、电阻率、迁移率等参数可在允许范围内指定 |
GaSb
锑化镓（Gallium Antimonide）是由特别的LEC方法结晶生长而成的单结晶，用于红外线探测器，红外发光二极管（LED）、激光、转换器、恒温光电系统等。
另外，以锑化镓（GaSb）为代表的III-V族化合物半导体属于直接迁移性半导体，与硅（Si）系半导体相比，具有能带隙小，近红外领域（波长0.8um-2.2um）电磁波可以转化为电力等特征。
以锑化镓为基础的太阳能芯片，虽然技术难度非常大，但是在GaSb衬底上进行的以MBE为主的II-VI族外延片研究也在进行中。
| 项目 | 说明 |
|---|---|
| 制造方法 | LEC |
| 类型 | N-type/Te, P-type/Un-doped, Zn |
| 直径 | 2英寸 – 4英寸 |
| 晶向 | (100)、(110)、(111) ～ (611)，其他偏角方向也可提供 |
| 表面处理 | 单面镜面抛光、双面镜面抛光、Epi-ready 处理，其他表面处理亦可提供 |
| 厚度 | 2英寸：500 μm,3英寸：625 μm,4英寸：1000 μm
其他厚度可根据需求洽谈 |
| 其他 | 载流子浓度、电阻率、迁移率等参数可在允许范围内指定 |
InAs
砷化铟作为III-V族元素化合物，是以LEC法制造而成的单结晶。
从单结晶晶棒薄切而来，在Epi ready研磨片衬底上施加外延层，从而可以被广泛利用在测量，分析等领域使用的红外探测器件。
| 项目 | 说明 |
|---|---|
| 制造方法 | LEC |
| 类型 | N-type/S, Un-doped, P-type/Zn |
| 直径 | 2英寸 – 3英寸 |
| 晶向 | (100)、(110)、(111) ～ (611)，其他偏角方向也可提供 |
| 表面处理 | 片面鏡面研磨、両面鏡面研磨、エピレディー処理、その他仕上げも可能 |
| 厚度 | 2英寸：500 μm,3英寸：625 μm
其他厚度可根据需求洽谈 |
| 其他 | 载流子浓度、电阻率、迁移率等参数可在允许范围内指定 |
InSb
锑化铟（Indium Antimonide）单结晶是III-V族化合物，闪锌矿构造的材料。
锑化铟的能带隙为0.17ev（室温）属于狭窄直接迁移型半导体，主要使用于红外线温度记录器，热成像摄像机，自动跟踪导弹等红外探测器件、霍尔元件、磁电阻效应元件等。
| 项目 | 说明 |
|---|---|
| 制造方法 | CZ |
| 类型 | N-type/Te, Un-doped, P-type/Ge |
| 直径 | 2英寸 – 4英寸 |
| 晶向 | (100)、(110)、(111) ～ (611)，其他偏角方向也可提供 |
| 表面处理 | 单面镜面抛光、双面镜面抛光、Epi-ready 处理，其他表面处理亦可提供 |
| 厚度 | 2 英寸：625 μm,3 英寸：800 / 900 μm,4 英寸：1000 μm
其他厚度可根据需求洽谈 |
| 其他 | 载流子浓度、电阻率、迁移率等参数可在允许范围内指定 |
E&M Ⅲ-Ⅴ族化合物单晶晶圆的特长
- 我们可根据客户的要求规格，从小批量研发到量产阶段，灵活满足客户的各类需求。
- 此外，我们还提供特殊晶向的产品，如 (111)、(110)、(311) 等。