ヒ化ガリウム（Gallium Arsenide）はガリウムのヒ化物であり、組成式はGaAsとして表記され、半導体素子の材料として多用されています。
半導体分野ではガリウムヒ素（ガリウム砒素）の名称で呼ばれることが多く、ガリヒ素という俗称も広く使用されています。

シリコンに比べ高価で加工が難しいデメリットがありますが、高速動作機能を持ち、また消費電力も約3分の1と少ないため小型化が容易という特徴があります。

近年では、加工技術の進歩などでGaAsデバイスも安価で供給されるようになってきており、携帯電話など小型で高周波特性が要求される用途やLED用途、レーザー用途を中心に広く普及しています

GaSb (Gallium Antimonide)、アンチモン化ガリウムは特別なLEC法により結晶成長させた単結晶で、赤外検出器や赤外発光ダイオード(LED)、レーザー、トランジスタ、サーモ光起電システムなどに用いられています。

また、ガリウムアンチモン（GaSb）に代表されるⅢ-Ⅴ族化合物半導体は直接遷移型の半導体であり、またシリコン（Si）系半導体に比べてバンドギャップが小さく、近赤外線領域（波長0.8μm～2.2μm）の電磁波を電力に変換できる特徴があります。

GaSbベースのソーラーセルについては、技術的に非常に難しい中、GaSb基板上へのMBEによるⅡ-Ⅵ族エピの研究も行われています。

InSb ( Indium Antimonide)、アンチモン化インジウム単結晶はⅢ-Ⅴ族化合物で閃亜鉛鉱構造の材料です。

InSbはバンドギャップが 0.17eV (室温)と狭い直接遷移型半導体で、主に赤外線サーモグラフィーや熱イメージングカメラ、自動追尾ミサイルなどの赤外線検出素子や、ホール素子、磁気抵抗効果素子などに使用されています。