シリコンウェーハ

弊社は独自のノウハウにて一貫加工を行い、自社ブランドの各種シリコンウェーハをご提供しております。現在、数多くのデバイスメーカー様や大学・官公庁様に弊社製品をご使用いただいております。

シリコンウェーハとは高純度な珪素（シリコン）のウェーハであり、インゴットと呼ばれる円柱状の単結晶シリコンインゴットを薄くスライスしたものです。ダミー、モニター、プライムなど様々な用途に沿ったシリコンウェーハを提供させていただきます。

用途

基本的にチップサイズの大きなMPUや大量に生産してコストを低減する必要のあるDRAM、フラッシュメモリには大口径のウェーハが使用され、集積回路（IC/LSI）やその他ディスクリート製品などの製造に最も多く使用されています。

本番の製造を行う前に、各製造工程において調整を行う必要がある際に使用するウェーハを指します。

用途: 成膜、エピタキシャル成長のレートチェックや基板の厚さ（の変動）に対する装置の許容度を計測するときなど、各工程・各種条件設定を行う際には、高規格・高価なプライムウェーハの代用として安価なモニターウェーハを使用します。

特長: 各種取り揃え、幅広いニーズにお応え致しております。（2～12インチまで可能）パーティクルチェック、プロセスチェック用モニターとしてご満足頂ける品質を保証致します。

ダミーウェーハ(テストウェーハとも言われる)とは、通常の製品用ウェーハとは違い、おもに実験や検査用に使用されるウェーハのことを指します。

用途: 製造装置では初期に製造過程の安定性を上げるために投入されることも多く、搬送チェックや加工形状の評価においても使用されます。 実験やテストとしての使用が多いため、サイズや厚みが重要であることが多いです。

特長: 各種取り揃え、幅広いニーズにお応え致しております。（2～12インチまで可能）パーティクルチェック、プロセスチェック用などご満足頂ける品質を保証致します。

プライムウェーハはデバイスの機能性に関わる抵抗率、平坦性、パーティクルなどが厳重に管理されたウェーハとなっています。

FZ(Floating Zone)法はCZ法とは異なる単結晶インゴット成長方法を指します。

特長: 高周波、MEMS、パワーデバイス向けなどに中性子照射した NTDウェーハや不純物ドーピングしたGDFZシリコンウェーハをご提供致しております。研究開発から量産まで幅広くご対応させて頂いております。(サイズは5～8インチまで対応可能)

エピとはエピタキシャル成長の略であり、基板となっている結晶の上に結晶成長を行い、下地の基板結晶面に揃えて配列する成長を意味します。

ウェーハへ膜付加工しているものを膜付ウェーハと呼びます。

用途: ウェーハの成膜（膜を成長させる）には、層間絶縁材料としての絶縁膜、導電材料としての金属膜、その他レジストなどのプロセス材料や保護膜などがあります。

特長

メタル膜及び熱酸化膜等、各種の成膜についてのご要望にお応え致しております。(サイズは2～12インチまで対応可能)

特長: 厚み100μｍ品、特殊面方位、LM加工、角チップなど研究用途に合わせた特殊仕様ウェーハを少量より対応、ご提供致しております。(サイズ、仕様は応相談)