化合物ウェーハ
化合物半導体は複数の元素を材料にした半導体であり、主にⅢ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族、Ⅳ-Ⅳ族の組み合わせが挙げられます。 シリコン半導体に比べ材料が高価であることに加え、結晶の大型化が難しいことから、これまで半導体材料のほとんどはシリコンにより担われてきました。 一方で、化合物半導体ウェーハは受発光や高速動作、磁電機能を保有していることから、発光ダイオード(LED)やレーザーダイオード(LD)、太陽電池、電界効果型トランジスタ、ホール素子などの用途に利用されます。 例えばLED用途には特性に応じて基板にサファイア、シリコンカーバイト（SiC）、ガリウム砒素（GaAs）、ガリウム燐(GaP) 、窒化ガリウム（GaN）などが用いられ、デバイス機能を作るために基板上に薄膜（エピタキシャル層）が形成されます。
WAFER TECHNOLOGY社について
- 弊社は 英国WAFER TECHNOLOGY社 の日本総代理店として、高品質の製品をご希望の仕様にて少量から ご提供致しております。
- 小口径(2インチ～)からご対応可能でございますのでどうぞご希望の仕様をお申し付け下さい。
Ⅲ-Ⅴ族単結晶ウェーハ
概要
Ⅲ−Ⅴ族化合物半導体は、III族元素とV族元素を用いた半導体であり、代表的なIII族元素としてはアルミニウム(Al)・ガリウム(Ga)・インジウム(In)、V族元素としては窒素(N)・リン(P)・ヒ素(As)・アンチモン(Sb)があります。 また、V族元素として窒素を用いたGaN（窒化ガリウム）、AlN（窒化アルミニウム）、InN（窒化インジウム)等を特に窒化物半導体と呼んでいます。
特長・強み
Ⅲ−Ⅴ族化合物半導体の多くが直接遷移型の半導体のため、発光ダイオード(LED)やレーザーダイオード(LD)などの発光素子に用いられます。また、シリコン(Si)とは異なるバンドギャップを有し、フォトダイオードといった受光素子にも使用されます。また、高速性により携帯電話や無線LANの高周波回路用パワーアンプやスイッチなどの電子デバイスにも広く応用されており、身近なところで活躍している材料です。
製品ラインナップ
- GaAs
- InP
- GaSb
- InAs
- InSb
化合物エピタキシャルウェーハ
- 特長
- 弊社では各種化合物系エピタキシャルウェーハを取り扱っております。
＜電子デバイス用途＞
HBT, pHEMT, BiFET, BiHEMT など＜オプトデバイス用途＞
VCSEL, LD, PIN, APD, LED, マルチ接合太陽電池 など