SOI晶圆片产品
SOI 基板是指在硅（Si）基板与表面硅层之间插入一层二氧化硅（SiO₂）所形成的结构。通过减少晶体管的寄生电容，可有效提升工作速度并降低功耗。在传统的集成电路中，器件间的隔离通常是通过 PN 结的反向偏置来实现的，但这种结构会在寄生二极管及衬底之间产生寄生电容，导致信号延迟及漏电流流向衬底等问题。为减少这种寄生电容，在 MOSFET 通道下方形成一层绝缘膜，从而降低浮游电容的结构即为 SOI（Silicon On Insulator）。此外，内部包含此类绝缘层的晶圆被称为 SOI 晶圆，而传统的晶圆则为了与之区分，被称为 体硅晶圆（Bulk Silicon 或 Bulk Wafer）。
ICEMOS TECHNOLOGY公司
- 本公司为英国ICEMOS TECHNOLOGY公司日本总代理店，竭诚为您提供SOI晶圆片,Si-Si绑定晶圆片, SOI加工晶圆片等服务。
- ICEMOS TECHNOLOGY公司自BCC TECHNOLOGY公司时代开始十多年以来，一直提供世界级的特制SOI晶圆片。
- 提供以研究开发目的少量试做到量产等服务。
SOI晶圆片制造方法
- 2种制造方法
制造方法1
Handle层外侧形成Box层，再贴上Device层研磨制造。
制造方法2
Device层外侧形成Box层，再贴上Device层研磨制造。
特制SOI
规格可按您的要求订作。可提供以下规格，请您询问。
- Device层
- 厚度 : 最薄至1.5um
- Box层(热氧化膜)
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- 可直接加工贴制上限为4um的氧化膜。
- 也可制作4um的氧化膜。
例: 5um(1um+4um)氧化膜贴合。
- 关于4um以上的氧化膜
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可进行5um(1um+4um)的贴合。但是，氧化膜间贴合(SiO2+SiO2)强度并不比硅和氧化膜贴合强。
- Handle层
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我们可以向您提供厚度上限为300um的研磨。
例 : Handle层325um->150um研磨** SOI晶圆片按总厚度测定。允许误差可小至+/-2um。
- Handle层的底面研磨
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可进行底面研磨。按SOI晶圆片的总厚度测定。
* 还可按照您的各种要求进行Device层研磨。
- Field氧化膜等制膜加工
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- 可在SOI晶圆片的表面进行Field氧化膜的制膜加工。
- 其他氮化膜，金属膜的制膜加工。
- 贴合强度
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可制作Device层和Box层贴合强度较弱的SOI晶圆片。
- 贴合强度较弱的SOI晶圆片
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可特别制作贴合界面的粘合强度较弱的SOI晶圆片。
- ICEMOS TECHNOLOGY
标准规格 -
大小: 4寸,5寸,6寸,8寸
http://www.icemostech.com/soi-wafers.html
SOI晶圆片加工品Cavity patterned wafer
Cavity Patterned加工品
可进行Box层， Handle层等 Cavity加工。
Pattern加工SOI晶圆片
可进行各种Pattern加工。参见以下各例。
电解体分离晶圆片
SOI 硅晶圆片 Trench＋Refill加工
通过对SOI硅晶圆片的Trench加工和Poly silicon Refill加工，从而使介质分离晶圆片的生产成为可能。
有关详细规格等请参照下面链接。
http://www.icemostech.com/tsoi-wafers.html
硅-硅贴合晶圆片
硅晶圆片与硅晶圆片（高电阻硅晶圆片与低电阻硅晶圆片）直接粘合在一起，就可以形成代替外延片的晶圆片。 其特征为，因为是直接将晶圆片粘合在一起，所以晶圆片的结合界面的自动掺杂就很难发生，相比堆积厚外延层，因厚度而异，可以起到消减成本的作用。 制造方法是将两片硅晶圆片粘合在一起，然后研磨Device层至要求厚度。Si-Si键合晶圆片（Si-Si粘合而成的晶圆片），相比起在功能器件、PIN二极管等用途中使用的厚膜外延层，因其成本低廉所以成为有用的代替品。
SOI晶圆片存货销售
提供ICEMOS TECHNOLOGY公司的海外存货品，欢迎您垂询。请您随时询问存货品规格。我们将向您邮送最新存货产品单。