硅晶圆片产品
以独自的经验进行加工，提供本公司品牌的各种晶圆。现在被众多制造商，大学，国家机构所使用。
硅晶圆片产品
硅晶圆片是高纯度硅元素（Silicon）的晶圆片。从被称为晶棒的圆柱状单晶硅切割成薄片而成。我们提供适用于各种用途的硅晶圆，包括虚拟晶圆（Dummy）、监控晶圆（Monitor）和高品质晶圆（Prime）。
应用
通常，大直径硅晶圆主要用于芯片尺寸较大的MPU，以及需要通过大量生产来降低成本的DRAM和闪存等产品。它们主要应用于集成电路（IC/LSI）以及其他分立器件的制造中。
测试片
- Monitor wafer是指，在进行正式的集成电路制造之前，各道制造工序中实施必要的调整时所使用的晶圆片。
- 应用
- 在进行成膜、外延生长速率检查或测量设备对基板厚度（变化）的容许度等各工序、各类条件设定时，
会使用价格较低的监控晶圆来替代高规格、高价位的优质晶圆（Prime Wafer）。 - 特点
- 我们备有各种类型的硅晶圆，以满足广泛的需求。（尺寸范围为2～12英寸）
我们保证提供用于粒子检测和工艺检测监控用途、令客户满意的高品质产品。
假片
- Dummy wafer（亦被称为Test Wafer）,不同于通常使用的晶圆片产品，主要指用于实验及检查等用途的晶圆片。因此，Dummy wafer（Testwafer）中再生晶片被普遍使用。
- 应用
- 为了提升制造设备初期制造过程中的稳定性，Dummy wafer也被广泛投入使用。同时在评测传输以及加工形状中亦会使用。由于在实验及测试中使用较多，因此尺寸以及厚度在很多情况下很重要。
- 特点
- 我们备有各种类型的硅晶圆，以满足广泛的需求。（尺寸范围为2～12英寸）
我们保证提供用于粒子检测和工艺检测监控用途、令客户满意的高品质产品。
正片
- 优质晶圆（Prime Wafer）是在与器件功能性密切相关的电阻率、平坦度和颗粒等方面经过严格管控的晶圆。
- 应用
- Prime wafer是用来直接制造IC芯片的晶圆片，基板上形成回路图案，在设备的制造用途中使用。
- 特点
- 我们主要提供 P+N+（高掺杂）产品，同时也可根据客户需求提供包含轻掺杂产品在内的定制规格。
（可对应的尺寸范围为 5～12 英寸）
FZ圆片
- FZ（悬浮区熔法）是与 CZ 法不同的一种单晶硅锭生长方法。
- 应用
- FZ晶片的用途主要有MEMS，二极管，IGBT，RF设备，Thyristor（整流器），高效率太阳电池以及光学产品等。
- 特点
- 我们提供用于高频、MEMS、功率器件等领域的中子辐照 NTD 晶圆和杂质掺杂 GDFZ 硅晶圆。
我们可满足从研发到量产的各种需求。（可对应的尺寸范围为 5～8 英寸）
外延片
- 外延（Epitaxial growth）是指在基板结晶上进行生长结晶，与最下面的基板结晶面整齐排列进行生长。
- 应用
- 外延硅晶片作为二极管及晶体管等的元件、以及双极型及MOS型IC用途基板使用。
- 特点
- 我们提供高品质的定制外延晶圆。
| 厚度 | 电阻率 | |
|---|---|---|
|
N型外延 |
||
| Sb・As・Phos
掺杂衬底 |
厚度至130µm | 电阻率0.01-100Ω.cm |
|
P型外延 |
||
| Boron掺杂衬底 | 厚度至130µm | 电阻率0.01-100Ω.cm |
| 特殊外延
及多层结构 |
厚度至150μm | 电阻率可达150Ω |
镀膜片
- 在硅晶圆上进行膜层加工的产品称为膜附晶圆。
- 应用
- 晶片镀膜（膜生长）的时候，有作为各层之间绝缘材料的绝缘膜，导电材料的金属膜，以及其他防蚀处理材料及保护膜等。
- 特点
- 提供金属膜，热氧化膜等，各种成膜。(大小 2-12寸)
(参考例)- 热氧化膜,Si3N4膜,TEOS,BPSG,Cu膜,Al膜,Ti膜,Ta膜,TaN膜,TiN膜等。
- 关于光刻法加工，可按照您的要求。
其他、特殊片
- 特点
- 我们提供适用于研究用途的特殊规格晶圆，包括厚度为 100 μm 的产品、特殊晶向、LM 加工以及带角缺口的晶圆等。
可少量定制，尺寸和规格可根据需求协商。