化合物晶圆产品系列
AlN
- 氮化铝（aluminum nitride）单结晶衬底作为高功率、高周波电子元件和深紫外线发光元件备受期待。
使用氮化铝（AlN）结晶做衬底，等同于同质外延的生长就会形成，从而起到较低程度上抑制积累起来的氮化铝结晶缺陷密度的作用。
现在，蓝宝石等用于氮化合物半导体的衬底。作为紫外线发光器件用途的衬底材料，从格子不整合以及紫外线通过度的观点可以发现，单结晶是最优秀的衬底片候选。
但是由于氮化铝单结晶衬底熔点高，高温时的解离压较高的缘故，从熔液来制作单结晶则很困难。 - 特长
- 蓝色-深紫外线激光、功率电子元件开发用途的最先端材料，大体积氮化铝衬底片从2006年开始使用。虽然仍然属于研究开发产品，我们销售以直径22.5mm/25mm形状为中心的单结晶AlN衬底。（非样板（template）商品）
【主要用途】
UV LED/LD、电子雪崩PD、其他传感器、功率电子器件、散热器等
【生长方法】
物理气相输送法（Physical Vapor Transport:PVT）
升华/AlN粉末种晶再结晶
（Sublimation/Seeded-recrystallization of AlN powder ）
| 项目 | 说明 |
|---|---|
| 直径 | 22.5～50mm |
| 厚度 | 500±50um |
| 晶向 | (0001)±1.0° |
| 表面处理 | Al face：CMP (RMS <0.8nm)
N face：optical (RMS <3nm) |
| 吸收系数 | <30cm-1 |
| XRD | FWHM (002)：<0.3°
FWHM (102)：<0.5° |
| EPD | <106cm-2 |
| 有效面积 | >80% |
| 边缘排除区域 | 1.0mm |
GaP
- 磷化镓的化学式为GaP（Gallium Phosphide）。
磷化镓为桔黄色半透明状结晶，通过镓与磷的直接反应或者900℃-1000℃时氧化钾与磷的反应而得成。
其比重为4.13，熔点为1465摄氏度，介电常数为9.1，能量带为2.2ev。具有所有III-V族化合物（III族元素与V族元素的化合物）半导体的性质，作为可视发光二极管可以用于各种显示元件及手机照明（黄色、绿色）中。 - 特长
- 提供2寸和3寸的GaP单晶圆片。
标准规格如下所示。
【用途】
可见光LED各种表示元件(红色/绿色)和液晶背光(黄色/绿色)用等
【制造方法】
LEC
| 项目 | 说明 |
|---|---|
| 类型 | N-type/S,Si,P-type/Zn *Un-doped also available |
| 直径 | 2英寸 – 3英寸 |
| 晶向 | (100)、(111)、(110)，亦可提供其他特殊晶向及偏角晶向（Off Orientation） |
| 表面处理 | 单面镜面抛光、双面镜面抛光、As-cut（未抛光） |
| 厚度 | 250-1000um |
| 载流子浓度 | (1-10)E18cm-3 |
| EPD | <1E5cm-2 |
Al2O3(氧化铝)
- 氧化铝（英文：Aluminium Oxide）化学式为Al2O3，属于铝的两性氧化物。
通常也被称为矾土（alumina）,纯天然产品有金刚砂，红宝石，蓝宝石等，主要被用作金属铝的原材料，除此之外，利用其硬度来制造 磨粉，而利用其高熔点特性则可以制造耐火材料。
用于半导体的蓝宝石单结晶由CZ法，泡生法，EFG法等来制作，蓝宝石晶圆片则作为光学器件LED衬底以及激光衬底片来使用。
另外，从紫外线领域到红外线领域的广泛周波数范围内能够显示高度透光性，因此也用于光学窗材中。 - 特长
- 具有低电容结晶特性的优质材料。提供2寸，3寸，4寸Epi-ready片和标准晶向片及客户订制(off晶向，双面研磨，各种厚度)产品。
【用途】
蓝色LED用途(蓝,白,绿,紫LED) GaN结晶生长用基板等 窒化ガリウム結晶成長用基板 等
| 项目 | 说明 |
|---|---|
| 直径 | 2英寸 – 4英寸 |
| 晶向 | C(0001)0.2off±0.1°to m-axis |
| OF 方位 | (11-20)±0.3° |
| OF 长度 | 2英寸：16 ±0.5 mm,4英寸：30 ±1.0 mm |
| 厚度 | 2英寸：430 μm,4英寸：650 μm |
| 表面处理 | 单面镜面抛光 |
| Bow | ≦10um (2inch) |
| TTV | ≦10um (2inch) |
SiC
- 碳化硅（Silicon Carbide，化学式 SiC）是一种由碳（C）和硅（Si）组成的化合物，具有强大的共价键结合特性，其带隙为 3.2 eV，约为硅（Si）的三倍。
碳化硅具有高热导率，散热性和耐热性优异，性能远远超过传统的硅（Si）晶圆。
作为一种能够显著降低器件功率损耗，实现高效率和节能化的材料，碳化硅在汽车（混合动力、电动）、家电（空调、太阳能电池等）、电力及信息通信等领域具有广阔的增长前景。 - 特长
- 我们提供适用于多种用途的 2～4 英寸 SiC 晶圆。
※亦可提供SiC外延晶圆（Epi Wafer）。
GaN
- 氮化镓（Gallium Nitride，简称 GaN），又称为镓氮化物，是由镓与氮组成的化合物。它被广泛应用于发光二极管（蓝光 LED、紫光 LED、紫外 LED、白光 LED）以及用于蓝光光盘（Blu-ray）的蓝紫光激光二极管（LD）基板材料。
传统上，氮化镓基板多为在蓝宝石基板上形成氮化镓层的结构。如今，为了满足高输出和高可靠性要求的激光二极管（LD）及高亮度 LED 的需求，针对缺陷密度较低的自支撑（自立）基板的产品开发正日益活跃。 - 特长
- 我们提供适用于 LED、LD 及电子器件用途的高品质 GaN 本征晶圆。(尺寸：～2 英寸)
※ 亦可提供 GaN 外延晶圆（Epi Wafer）。
Ge
- 锗（英语：Germanium，元素符号：Ge）是一种带隙比硅（Si）更窄的半导体材料（约 0.7 eV）。在早期的晶体管中，锗是主要材料，在具有更高稳定性的硅（Si）出现之前，曾是半导体器件的主流材料。
至今，由于其电压降较小，锗仍被用于二极管；此外，因其带隙较窄，也被广泛应用于光探测器领域。
同时，锗还用于伽马射线辐射探测器、红外光学器件及太阳能电池等应用中。 - 特长
- 我们提供适用于红外、太阳能电池及探测器等用途的 2～4 英寸锗（Ge）晶圆。
氧化物
- 大多数氧化物半导体具有宽带隙，可透过可见光范围内的电磁波。
其中部分材料还表现出较高的载流子浓度和迁移率，因此被广泛应用于利用其特性的各种领域，如透明导电膜、超导材料及传感器等。
作为氧化物单晶基板的代表性材料，包括用于超导薄膜基板的钛酸锶（SrTiO₃）单晶基板、以及氧化镁（MgO）单晶基板等。 - 特长
- 我们提供各类氧化物单晶晶圆。可供应材料包括：MgO（氧化镁）、SrTiO₃（钛酸锶）、ZnO（氧化锌） 等。
Ⅱ-Ⅵ族化合物晶圆片
- II-VI族半导体即使用II族与VI族元素的半导体，主要使用的II族元素有镁、锌、镉、汞；VI族元素有氧、硫、碲、硒等。
这些元素组合而成的化合物，例如ZnO氧化锌，CdTe碲化镉，ZnSe硒化锌以及ZnS硫化锌等。
尽管II-VI族半导体具有离子结晶性强固，大多数属于脆弱性物质的特征，但是通过改变组合可以大幅改变能带隙。
具有相当于可视光及红外线领域能带隙的物质，用于发光元件或者受光元件等材料中。 - 产品一览
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- CdSe（硒化镉单结晶）
- CdS（硫化镉单结晶）
- ZnSe（硒化锌单结晶）
- ZnTe（碲化锌单结晶）
- ZnS（硫化锌单结晶）