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SOIウェハのカスタマイズ

SOIウェハのカスタマイズについて

SOIウェハのスペックはご希望に応じご提案させて頂きます。 以下のようなスペックが可能ですので、お気軽にご相談下さい。


  • 【デバイス層】
  • 厚み：最薄1.5μｍまでの厚みが作成可能。

  • 【Box層（熱酸化膜）】
  • 厚み4μｍまでダイレクトにBox層酸化膜付け加工が可能。
  • 4μｍ以上の酸化膜についても作成可能。
  • 例：5μｍ（1μｍ＋4μｍ）酸化膜どうし貼り合せ。

  • 【４μｍ以上の酸化膜について】

例えば
5 μｍ（1μｍ＋4μｍ）酸化膜どうし貼り合せでBox層を作成可能ですが酸化膜どうしの貼り合せ(SiO2+SiO2)は、シリコンと酸化膜の貼り合せ(Si+SiO2)より、貼り合せ強度は強くはありせん。


デバイス層
  • 【ハンドル層】
  • 厚み300μｍ以下のハンドル層をご希望の場合は別途E&Mで研磨可能。
  • 例：ハンドル層325μｍ→150μｍに研磨※
  • ※SOIウェハーのトータル厚みで測定。公差±2μｍ狙いの加工可能。

  • 【ハンドル層の裏面研磨について】
  • ハンドル層の裏面研磨が可能です。
  • 厚みについてはSOIウェハのトータル厚みでの測定になります。
  • ※ご希望に応じデバイス層も研磨可能。

ハンドル層の裏面研磨について
  • 【フィールド酸化膜等の膜付け加工】
  • SOIウェハの表面にフィールド酸化膜付け加工が可能。
  • その他、窒化膜、メタル膜も成膜可能。

  • 【貼り合せ強度】
  • デバイス層とBox層の貼り合せ強度の弱いSOIウェハも作成可能。
  • ※通常の貼り合せ強度では、48%HFの中で70分エッチングでも貼り合せ界面へ影響はない
  • 実績有り（過去テストデータに基く）

  • 【貼り合せ強度の弱いSOIウェハ】
  • 貼り合せ界面の接合強度の弱いSOIウェハを特別に作成可能。

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